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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi决别和诀别哪个是对的意思，诀别和决别是什么意思)存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确决别和诀别哪个是对的意思，诀别和决别是什么意思保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致决别和诀别哪个是对的意思，诀别和决别是什么意思下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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