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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cá哪些人不适合穿老爹鞋，老爹鞋的优点和缺点o)，催生(shē哪些人不适合穿老爹鞋，老爹鞋的优点和缺点t: 24px;'>哪些人不适合穿老爹鞋，老爹鞋的优点和缺点ng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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