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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙俄罗斯语乌拉是什么意思 中国人可以说乌拉吗头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)俄罗斯语乌拉是什么意思 中国人可以说乌拉吗比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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