大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波公杂费包括哪些费用，公杂费包括哪些日用品龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司公杂费包括哪些费用，公杂费包括哪些日用品(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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