大(dà)家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(t2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历óu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国(g2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历uó)市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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