大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(事与愿违下一句是什么 事与愿违是什么意思guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障事与愿违下一句是什么 事与愿违是什么意思关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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