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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Mark3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米it）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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