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阴肖指的是哪几个生肖,阴肖指的是哪几个生肖呢 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

  据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息,日前(qián),网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全,防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》,网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、阴肖指的是哪几个生肖,阴肖指的是哪几个生肖呢SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显示(shì), 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商,采购约阴肖指的是哪几个生肖,阴肖指的是哪几个生肖呢31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势,公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制,或(huò)将导致下游客户转而采购(g阴肖指的是哪几个生肖,阴肖指的是哪几个生肖呢òu)国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速(sù),看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入(rù)增长。

 

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