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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。三公里是多少米，三公里是多少米中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析三公里是多少米，三公里是多少米，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(h三公里是多少米，三公里是多少米ǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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