大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(俄罗斯人人均寿命，俄罗斯人寿命平均多少xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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