碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量p>

　　大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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