大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写0000; line-height: 24px;'>n. v. adj. adv.是啥，英语词性分类12种及缩写关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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