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中国十大文武学校哪间好,中国十大文武学校排行榜 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

  审查发现,美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规,我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查,目的是防范中国十大文武学校哪间好,中国十大文武学校排行榜(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán),是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网发(fā)文称,为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美光是(shì)美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān),设备国产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄膜沉积(jī))等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入(rù)增(中国十大文武学校哪间好,中国十大文武学校排行榜zēng)长。

 

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