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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒ什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空ng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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