大(dà)家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法对(du得物上的东西是正品吗，得物上的东西是新的还是二手ì)美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(得物上的东西是正品吗，得物上的东西是新的还是二手chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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