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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供谢霆锋资产有百亿吗(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供谢霆锋资产有百亿吗应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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