大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3regretted用法及例句，regret的用法和例句月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luregretted用法及例句，regret的用法和例句ò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：昆明苹果手机维修|苹果电脑维修|iPhone维修|iPad维修|iPod维修|MacBook维修|iMac维修|三星手机维修|HTC手机维修|昆明安瓦手机电脑云南维修中心 regretted用法及例句，regret的用法和例句