大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公(gōng)司我的贤内助是什么意思，贤内助是什么意思啊也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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