大家好，来看一(yī)则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入高铁允许携带多少香烟，高铁有规定可以带多少烟中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Marki高铁允许携带多少香烟，高铁有规定可以带多少烟t）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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