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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(lu都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗ò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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