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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美中国的情报机构是什么机构，中国的情报机构叫啥光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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